判斷掃描電鏡（SEM）樣品的導電性是否足夠，對于獲得清晰、無偽影的圖像至關重要。導電性不足的樣品容易導致電荷積累（charging effect），從而產(chǎn)生圖像漂移、模糊和亮斑等問題。以下是常用的判斷方法與技巧：

1. 觀察圖像偽影（Charging Artifacts）

導電性不足的典型特征：

圖像漂移： 隨著電子束掃描，樣品上積累的電荷會使圖像緩慢移動。

亮斑或暗斑： 在非導電區(qū)域，電子不能有效逸出，導致局部過曝或欠曝。

條紋或放射狀圖案： 電荷積累不均勻時，會產(chǎn)生不規(guī)則條紋或輻射狀偽影。

邊緣效應明顯： 非導電樣品在邊緣區(qū)域更容易積累電荷，出現(xiàn)高亮邊緣。

判斷依據(jù)：

如果調節(jié)加速電壓后偽影明顯減少，通常意味著導電性不足。

 2. 檢查電子束掃描響應

方法：

快速掃描： 使用快速掃描模式（如 TV 掃描模式），觀察偽影變化。

導電性不足時： 圖像會有明顯漂移或亮暗變化。

導電性良好時： 圖像穩(wěn)定，細節(jié)清晰無漂移。

改變加速電壓：

低加速電壓（<5kV）： 對導電要求較低，偽影減少則說明導電性不足。

高加速電壓（>15kV）： 偽影增強則可能是樣品過厚或導電不均勻。

3. 使用背散射電子成像（BSE）

原理：

BSE 對電荷積累不敏感，適合判斷導電性。

如果 二次電子（SE）圖像有偽影而 BSE 圖像正常，則可能是導電性不足。

判斷依據(jù)：

BSE 圖像清晰但 SE 圖像模糊： 導電性問題。

兩者均模糊： 可能是樣品污染或厚度問題。

4. 使用低真空或環(huán)境掃描模式（ESEM）

原理：

在低真空模式下，腔體中的氣體能中和積累的電荷。

如果低真空模式能改善圖像質量，則意味著導電性不足。

判斷依據(jù)：

低真空無偽影，高真空有偽影： 樣品導電性不足。

 5. 測試樣品的電阻率

方法：

使用四探針法或萬用表測量樣品表面電阻。低于 10? Ω/cm2： 通常認為導電性足夠。

高于 10? Ω/cm2： 可能需要涂覆導電層。

 6. 觀察導電涂層效果（如果已涂覆）

方法：

對非導電樣品涂覆金、碳或鉑導電層，通常厚度為 5-20 nm。

如果涂覆后偽影消失或顯著減少，則說明導電性不足。

注意：

導電層不宜過厚，避免掩蓋樣品細節(jié)。

7. 通過信號反應時間判斷（如 EBSD 應用）

原理：

導電性不足時，電子束會引起電荷積累，導致 EBSD 花樣難以穩(wěn)定。

觀察 EBSD 花樣刷新速度與穩(wěn)定性 可間接判斷導電性。

以上就是澤攸科技小編分享的如何判斷掃描電鏡樣品的導電性是否足夠。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價格請咨詢